ویژگی های اساسی ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT)

مشخصات اصلی برق

امپدانس ورودی بالا: ویژگی های ماسفت را به ارث می برد، به قدرت محرکه کمی نیاز دارد و دارای مدار رانندگی ساده است.

 

افت ولتاژ رسانایی کم: از اثر مدولاسیون هدایت استفاده می کند. ولتاژ اشباع حالت روشن (Vce(sat)) بسیار پایین‌تر از ماسفت‌های با درجه ولتاژ یکسان است، معمولاً 1.5 تا 3 ولت.

 

قابلیت ولتاژ بالا و جریان زیاد: مناسب برای سطوح ولتاژ از 600 ولت تا 6500 ولت، با جریان بیش از 10 آمپر تا 1800 آمپر.

 

فرکانس سوئیچینگ متوسط: محدوده فرکانس عملیاتی معمولاً ده ها کیلوهرتز (مانند 10-100 کیلوهرتز)، بالاتر از BJT اما کمتر از MOSFET است.

 

ضریب دمای مثبت: تحت جریان نامی، Vce(sat) اندکی با دما افزایش می‌یابد، که در صورت استفاده موازی برای اشتراک جریان مفید است.