تعریف ترانزیستور دوقطبی گیت عایق

ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) یک دستگاه نیمه هادی با قدرت ولتاژ{0}کامپوزیت کاملاً کنترل شده است که مزایای MOSFET (فلزی-اکسید-میدان نیمه هادی{3}}ترانزیستور اثربخش) و BJT (ترانزیستور اثر) را ترکیب می کند.

 

نقاط اصلی تعریف
ترکیب ساختار: متشکل از امپدانس ورودی بالا و ویژگی‌های ولتاژ{0} یک MOSFET همراه با افت ولتاژ هدایت پایین و قابلیت حمل جریان بالا یک BJT.

اصل کار: با اعمال ولتاژ به گیت برای کنترل تشکیل کانال، جریان پایه را برای ترانزیستور PNP فراهم می‌کند و به روشن یا خاموش کردن می‌رسد.

ساختار ترمینال: دارای سه ترمینال-دروازه (G)، جمع کننده (C) و امیتر (E).

 

مزایای اصلی:
امپدانس ورودی بالا (مانند ماسفت، قدرت محرکه کم)
افت ولتاژ رسانایی کم (مانند BJT، افت هدایت کم)
مناسب برای برنامه های ولتاژ بالا، جریان بالا و متوسط{0}}فرکانس بالا